Antusias PC dan Teknologi
www.obengware.com

Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM PC2100

15 Okt 03

Spesifikasi produk

 


  • Samsung 1GB SODIMM memory PC2100

  • Code Samsung M470L2923BN0-CB0

  • Size : 1GB Module
  • Speed : PC2100/DDR266
  • Chip : 16 X K4H510838B
Features
[Note] Orange text is only about DDR 400
Green text is only about DDR 266/333


Power supply : Vdd: 2.6V ± 0.1V, Vddq: 2.6V ± 0.1V
Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe [DQ] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and /CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 3 (clock) for DDR400
Programmable Read latency 2, 2.5 (clock) for DDR 266/333
Programmable Burst length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1250 (mil), single (256MB), double(512MB, 1GB) sided
54pin sTSOP(II)-300 package
Ordering Information
Part Number
Density
Organization
Component Composition
Height
M470L2923BN0C(L)B3/A2/B0
1GB
128M x 64
64Mx8 (K4H510838B) * 16EA
1,250(mil)
M470L2923BN0-C(L)CC
1GB
128M x 64
64Mx8 (K4H510838B) * 16EA
1,250(mil)
Operating Frequencies (DDR266,333)
 
B3(DDR333)
A2(DDR266)
B0(DDR266)
Speed @CL2
133MHz
133MHz
100MHz
Speed @CL2.5
166MHz
133MHz
133MHz
CL-tRCD-tRP
2.5-3-3
2-3-3
2.5-3-3
Operating Frequencies (DDR400)
CC(DDR400@CL=3)
Speed @CL3
200MHz
CL-tRCD-tRP
3-3-3

Seri Samsung SODIMM
M470L3324BT0 M470L3324BT0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die
M485L3324BT0 M485L3324BT0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die
M470L6524BT0 M470L6524BT0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die
M485L6523BT0 M485L6523BT0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die
M470L2923BN0 M470L2923BN0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die
M485L2829BT0 M485L2829BT0 200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 512Mb B-die

 

Fitur

Sekilas dengan Samsung,perusahaan ini memang telah banyak mengembangkan teknologi berbasis IT. Banyak sekali produk yang dihasilkan dan dikembangkan oleh Samsung seperti substrain TFT LCD (Layar untuk notebook), memory, handphone dan sebagainya. Didalam dunia industri memory, perusahaan Korea ini juga dikenal menjadi salah satu pemimpin disamping 4 negara lain seperti Micron dari USA, Infineon German, Nanya Taiwan dan beberapa perusahan lain seperti Jepang yang ikut serta mengisi kebutuhan memory di dunia computer.

Samsung sendiri memiliki banyak divisi, dan sedikit berbeda dengan teknologi yang dibuat oleh divisi Semi Conductor yang mengkhususkan pembuatan micro chip dengan salah satu produk dinamakan SDRAM. Kali ini dibahas tentang memory SODIMM dengan kecepatan PC2100 berkapasitas 1GB

Apa sebenarnya yang menarik pada teknologi memory yang ini. Bila dibahas dengan memory berkapasitas 512MB single module, mungkin itu suatu hal yang biasa. Tetapi bila dibicarakan dengan memory berkapastias 1GB dalam bentuk SODIMM mungkin akan muncul banyak pertanyaan. Apakah sebuah notebook membutuhkan memory berkapasitas besar tersebut atau dapat saja mengunakan 2 module berkapastas 512MB untuk menginstall 1GB. Tetapi bila berkeinginan dengan 1GB memory atau lebih membuat sebuah pertanyaan lain. Apakah kapasitas memory tersebut telah ada, atau apakah masih ada tempat pada sebuah notebook. Sedangkan disain dari notebook itu sendiri dibuat sangat sempit dan kecil dengan disain 2 slot.

Pada perkembangan teknologi notebook mengikut sertakan pada komponen seperti memory. Notebook dengan seperti trend saat ini dengan model Centrino disertai dukungan DDR PC2100 yang kebutuhannya tahun ini cukup meningkat.

Perusahaan memory maker secara jeli melihat trend pasar, bila dirasakan sampai cukup 512MB maka perusahaan akan menyediakan memory dengan kapasitas tersebut. Sayangnya tidak semua perusahaan dengan konsisten membuat seluruh model dari kapasitas kecil sampai kapasitas besar. Alasannya, mengapa harus memproduksi barang yang sedikit terjual sedangkan biaya memproduksinya saja sudah cukup besar. Hal ini terlihat Samsung sebagai perusahaan industri semi conductor tetap memenuhi keinginan pemakai notebook dengan memory berkapasistas besar walaupun terpaksa dibuat dengan biaya cukup mahal.

Dari sisi komponen memory, standard sebuah notebook, bahkan sudah menyertakan memory dengan kapasitas 512MB dan dikatakan sudah mencukupi kebutuhan memory pada sebuah notebook. Tetapi ada yang luput pada teknologi memory 1GB. Disebut sebagai barang Rare atau langkah ini. Mengapa, pertama bentuk disain memory SDRAM DDR untuk notebook atau dikenal sebagai SODIMM hanya diberikan tempat kecil dan terbatas pada notebook. Dengan disain 1GB single module bukan saja memerlukan minimal space , tetapi juga harus memperkecil bentuk ukuran memory dan menjaga kompatible dari standard notebook yang ada.

Gambar dibawah ini sedikitnya dapat menjelaskan mengapa memory 1GB perlu dibahas. Pada gambar terlihat perbandingan bentuk chip memory SODIMM standard module dibandingkan dengan 1GB Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM. Umumnya memory dengan kapasitas maksimum mencapai 512MB akan memiliki bentuk seperti pada gambar bagian atas. Sedangkan Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM, memory chip dibuat lebih kecil sehingga dapat masuk ke bentuk format PCB SODIMM module.

Compare size : Upper Micron 128MB PC2100 SODIMM module - Below Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM module

 

Kompatibel test - Acer Travelmate 800

System Specifications :

  • Notebook : Acer Travelmate 800
  • CPU : P4 1300Mhz
  • Memory test : 512MB Kingston memory (internal)+ 1 GB Samsung M470L2923BN0-CB0
  • OS : Windows XP Pro
  • Software test : Sisoft memory Bandwidth, CPUz

Install 1.5GB memory

 

 

SisoftSandra : chip-set & memory info

 

CPUz 1.19 : Information module 1.5GB

 
CPUz report
CPU-Z version 1.19
Memory Modules Serial Presence Detect (SPD)

Module #0
Memory type DDR-SDRAM
Manufacturer (ID) Samsung (CE00000000000000)
Size 1024MBytes
Max bandwidth PC2100 (133MHz)
Part number M4 70L2923BN0-CB0
Max frequency @CAS#2.0 100MHz
Max frequency @CAS#2.5 133MHz

Module #1
Memory type DDR-SDRAM
Manufacturer (ID) Kingston (7F98000000000000)
Size 512MBytes
Max bandwidth PC2100 (133MHz)
Part number K
Max frequency @CAS#2.0 100MHz
Max frequency @CAS#2.5 133MHz


 
Benchmark test -Toshiba M15-S405

System Specifications :

 

  • Notebook : Toshiba M15-S405
  • CPU : P4 M 1.7GHz
  • Memory test : 1 GB Samsung M470L2923BN0-CB0
  • OS : WindowsWindows XP Home Edition
  • Software test : Sisoft, PCmark

Test bed - Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM

 

Score PCmark & SisoftSandra

Toshiba 512MB (256MBX2) vs Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB 16Mhz

 

Detail test PCmark

Toshiba 512MB (256MBX2) vs Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB

 

Result

Pada test, perbandingan hasil kecepatan antara 1 module memory besar dibandingkan dengan 2 module berukuran kecil tidak terdapat perbedaan. Hal ini membuktikan memory yang besar tidak akan mempengaruhi performa notebook. Dengan 1GB memory memungkinkan notebook bekerja seperti kemampuan desktop PC serta sistem operasi baru seperti Windows XP yang sangat rakus memory. Sisi keunggulan dengan pemakaian 1GB memory, aplikasi dan data dapat berada didalam memory dan komponen storage seperti harddisk akan tidak banyak digunakan. 1GB memory module ini dinilai sudah lebih dari cukup untuk sebuah notebook.

Kedepan, Samsung telah menyiapkan memory dengan kecepatan lebih tinggi dengan PC2700 dan PC3200 dalam bentuk SODIMM berkapasitas 1GB. Apakah pemakai memang memerlukan memory berkapasitas dan lebih cepat lagi. Jawabannya tentu dari aplikasi apa yang akan digunakan dan sejauh mana pengembangan software dimasa mendatang. Yang pasti tidak ada kerugian dengan pemakaian memory lebih besar untuk sebuah notebook.

 

More than enough for notebook

Samsung

Technical data Samsung M470L2923BN0-CB0 1GB SODIMM PC2100